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发明名称 Sauerstoffdotierungs-Verfahren für ein einkristallines Galliumnitrid-Substrat
摘要
申请公布号 DE60226292(T2) 申请公布日期 2009.07.16
申请号 DE2002626292T 申请日期 2002.03.26
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD. 发明人 MOTOKI, KENSAKU;UENO, MASAKI
分类号 C30B29/40;C23C16/30;C30B23/00;C30B23/02;C30B25/00;C30B25/02;C30B29/38;C30B33/00;H01L21/205 主分类号 C30B29/40
代理机构 代理人
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