| 发明名称 | 金氧半导体元件的形成方法与其结构 | ||
| 摘要 | 一种金氧半导体元件的形成方法。此方法是利用第一选择性磊晶制程形成源/汲极区的矽化锗层，并利用第二选择性磊晶制程于矽化锗层上形成顶盖层，以避免因离子植入所可能造成的不良效应。 | ||
| 申请公布号 | TW200931540 | 申请公布日期 | 2009.07.16 |
| 申请号 | TW097100545 | 申请日期 | 2008.01.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 丁世泛;徐世杰;黄正同;吴志强;洪文瀚;吴孟益;郑礼贤;石忠民;李坤宪;郑子铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||