在离轴晶种上一百毫米SiC晶体的生长

摘要

公开了半导体晶体及其相关的生长方法。该晶体包括晶种部和在晶种部上的生长部。该晶种部和该生长部形成大体上竖直的圆柱形碳化硅单晶。晶种面定义在生长部和晶种部之间的界面，该晶种面大体上平行于竖直圆柱形晶体的底面且相对于单晶的基面离轴。生长部复制晶种部的多型体且生长部具有至少约100mm的直径。

主权项

1. 一种半导体晶体，其包括：晶种部；和在所述晶种部上的生长部；所述晶种部和所述生长部形成大体上竖直圆柱形碳化硅单晶；晶种面定义为在所述生长部和所述晶种部之间的界面；所述晶种面大体上平行于所述竖直圆柱形晶体的底面且相对于所述单晶的基面离轴；所述生长部复制所述晶种部的多型体和所述生长部具有至少约100mm的直径。