在基于锗的材料上制造氮氧化锗层

摘要

一种制造在基于Ge的材料上用作栅极器件的小于6纳米的等效氧化物厚度的薄氮氧化锗层的方法。该方法涉及两个步骤。第一步，将氮混入到在基于Ge的材料的表面层中。第二步，氮混入之后的氧化步骤。对于基于Ge的场效应器件(比如MOS晶体管)，该方法实现对高质量的栅极电介质的优良厚度控制。本发明还公开了具有薄的氮氧化锗栅极电介质的器件的结构和以这种器件制成的处理器。

主权项

1、一种在基本为纯Ge的材料上制造氮氧化锗层的方法，包括如下步骤：将第一浓度的氮混入到在Ge材料的第一表面之下的表面层中；以及通过将Ge材料的第一表面暴露在含氧的环境中诱导氮氧化物层的生长，其中所混入氮的第一浓度的累积值是在1E14/cm2和3E15/cm2之间，其中在所述表面层中的第一浓度的氮控制氮氧化物层的生长，其中所制造的氮氧化物层具有小于6纳米的等效氧化物厚度。