发明名称 |
内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的DC-DC转换器 |
摘要 |
本发明提供一种包含功率MOSFET和驱动该晶体管的驱动电路的、适用于高速转换的非绝缘型DC-DC转换器。半导体装置具备高端开关元件、驱动电路和低端开关元件。所述高端开关元件形成于第1半导体基底上,向电流通路的一端提供输入电压,所述电流通路的另一端连接于电感上。所述驱动电路形成于形成所述高端开关元件的所述第1半导体基底上,驱动所述高端开关元件。所述低端开关元件形成于与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上,在漏极上连接电感,向源极提供基准电位。 |
申请公布号 |
CN100514670C |
申请公布日期 |
2009.07.15 |
申请号 |
CN200410101189.X |
申请日期 |
2004.12.20 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
中村和敏;安原纪夫;末代知子;松下宪一;中川明夫 |
分类号 |
H01L29/00(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H02M3/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
胡建新 |
主权项 |
1、一种DC-DC转换器,具备:高端开关元件,形成于第1半导体基底上,向漏极和源极中的一个提供输入电压,所述漏极和所述源极中的另一个连接于电感上;驱动电路,在形成了所述高端开关元件的所述第1半导体基底上形成,与所述高端开关元件的栅极连接,驱动所述高端开关元件;和低端开关元件,在与所述第1半导体基底不同的第2半导体基底上形成,在漏极上连接所述电感,向源极提供基准电位;所述低端开关元件是电流从所述第2半导体基底的表面通到背面的纵向MOS场效应晶体管,所述高端开关元件是电流的流向与所述纵向MOS场效应晶体管不同的横向MOS场效应晶体管。 |
地址 |
日本东京都 |