快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法

摘要

本发明是一种快闪存储单元及造成分离侧壁氧化的方法。本发明揭露了一种可使集成电路具有紧密的逻辑电路及/或线性电路区域与紧密的存储区域的制程与产品。在一共同的基板上，一双重硬罩幕处理单独形成了逻辑电路及/或线性电路晶体管以及EEPROM存储晶体管的堆栈。藉由使用该处理，该等逻辑电路及/或线性电路晶体管与存储晶体管具有不同的侧壁绝缘层厚度。该等逻辑电路及/或线性电路晶体管具有相对薄的侧壁绝缘层，而其足以提供与邻近装置与导体之间的隔离。该存储晶体管具有较厚的侧壁绝缘层以避免储存于该存储装置中的电荷会对该存储晶体管的操作产生不利的影响。

主权项

1. 一种具有逻辑电路及/或线性电路晶体管与存储装置的集成电路，所述集成电路包括：逻辑电路及/或线性电路装置区域，其包括场效晶体管，各包括自漏极所隔出的源极，位于所述源极和所述漏极之间的沟道，控制栅极，所述控制栅极包括位于所述沟道上的绝缘层与位于所述绝缘层上的栅极电极，以控制所述沟道中的电场，以及逻辑电路及/或线性电路装置侧壁绝缘层，其位于所述栅极电极的侧边，以将所述栅极电极与邻近的晶体管隔离；存储装置区域，所述存储装置区域包括电子可编程的存储装置，各包括自漏极所隔出的源极，位于所述源极和所述漏极之间的沟道，位于所述沟道上的绝缘层和位于所述绝缘层上的第一电极，以控制所述沟道中的电场，介电层，位于所述第一电极上，第二电极，位于所述介电层上，用于将电压供应至存储晶体管以储存或移除电荷，以及存储装置侧壁绝缘层，其位于所述第一与第二电极的侧边以减少所述电荷于基板中产生的电场，并将邻近的存储装置彼此隔离，其中所述存储装置侧壁绝缘层比所述逻辑电路及/或线性电路装置侧壁绝缘层更厚。