发明名称 |
单向导通装置 |
摘要 |
一种单向导通装置,包括金氧半场效晶体管及驱动装置,金氧半场效晶体管的源极与汲极是分别作为单向导通装置的P极与N极,驱动装置例如是比较器或放大电路等,用以检测金氧半场效晶体管源极与汲极间的电位差。当P极电位高于N极电位时,驱动装置150便输出一驱动电位至金氧半场效晶体管的闸极使其导通,若P极电位低于N极电位,驱动装置便无法输出开启金氧半场效晶体管所需的驱动电位,此时单向导通装置关闭,故单向导通装置具有单向导通的特性。 |
申请公布号 |
CN100514841C |
申请公布日期 |
2009.07.15 |
申请号 |
CN02149960.8 |
申请日期 |
2002.11.08 |
申请人 |
广达电脑股份有限公司 |
发明人 |
陈昇峰 |
分类号 |
H03D1/10(2006.01)I;H03D1/18(2006.01)I |
主分类号 |
H03D1/10(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
任永武 |
主权项 |
1. 一种单向导通装置,具有一P极及一N极,其特征在于,该单向导通装置包括:一金属氧化物半导体场效应晶体管,该金属氧化物半导体场效应晶体管是P通道晶体管,并具有一源极、一汲极及一闸极,其中,该汲极是作为该P极,该源极是作为该N极;以及一驱动装置,耦接至该金属氧化物半导体场效应晶体管,用以单向导通该金属氧化物半导体场效应晶体管,该驱动装置包括:一运算放大器,具有一反相输入端、一非反相输入端及一输出端,该非反相输入端耦接至该源极,该输出端耦接至该闸极;一第一电阻,该第一电阻的一端耦接至该汲极,该第一电阻的另一端耦接至该反相输入端;及一第二电阻,该第二电阻的一端耦接至该反相输入端,该第二电阻的另一端耦接至该输出端。 |
地址 |
台湾省桃园县龟山乡文化二路188号 |