像素结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种像素结构及其制造方法。首先，于基板上形成第一图案化导体层，其包括栅极以及数据线。接着，于基板上形成栅极绝缘层，以覆盖第一图案化导体层，并于栅极上方的栅极绝缘层上形成半导体通道层。然后，于栅极绝缘层以及半导体通道层上形成第二图案化导体层，其包括扫描线、共通电极线以及源极与漏极。扫描线与栅极电性连接，共通电极线位于数据线上方，而源极与漏极位于半导体通道层上，且源极电性连接数据线。随之，于基板上形成保护层，以覆盖第二图案化导体层，然后于保护层上形成像素电极，且像素电极与漏极电性连接。

主权项

1. 一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：形成一第一图案化导体层于一基板上，该第一图案化导体层包括一栅极以及一数据线；形成一栅极绝缘层于该基板上，以覆盖该第一图案化导体层；形成一半导体通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上；形成一第二图案化导体层于该栅极绝缘层以及该半导体通道层上，该第二图案化导体层包括一扫描线、一共通电极线以及一源极与一漏极，其中该扫描线与该栅极电性连接，该共通电极线位于该数据线上方，而该源极与该漏极位于该半导体通道层上，且该源极电性连接该数据线；形成一保护层于该基板上，以覆盖该第二图案化导体层；以及形成一像素电极于该保护层上，且该像素电极与该漏极电性连接，该共通电极线与该像素电极部分重迭而构成一储存电容。