发明名称 Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Ein Bildsensor kann ein erstes Substrat, eine Isolierschicht, eine Fotodiode und einen Durchkontaktierungsplug umfassen. Eine Schaltung, die eine Verbbildet sein. Die Isolierschicht wird so über dem ersten Substrat ausgebildet, dass die Isolierschicht die Verbindung bedeckt. Die Fotodiode wird in einer kristallinen Halbleiterschicht ausgebildet und dann auf das erste Substrat gebondet, wobei sie zugleich mit der Isolierschicht Kontakt hat. Der Durchkontaktierungsplug wird bereitgestellt, indem Bereiche der Fotodiode und der Isolierschicht entfernt werden, um einen oberen Bereich der Verbindung freizulegen, um ein Durchkontaktierungsloch auszubilden, und indem das Durchkontaktierungsloch mit einem leitfähigen Metall gefüllt wird. Der Durchkontaktierungsplug verbindet die Fotodiode elektrisch mit der Verbindung.
申请公布号 DE102008063979(A1) 申请公布日期 2009.07.09
申请号 DE200810063979 申请日期 2008.12.19
申请人 DONGBU HITEK CO. LTD. 发明人 HWANG, JOON
分类号 H01L27/146;H01L21/283;H01L23/52;H04N5/335;H04N5/369;H04N5/374 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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