| 发明名称 |
Laterales Halbleiterbauelement mit Driftstrecke und Potentialverteilungsstruktur, Verwendung des Halbleiterbauelements sowie Verfahren zur Herstellung desselben |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE102005039804(B4) |
申请公布日期 |
2009.07.09 |
| 申请号 |
DE200510039804 |
申请日期 |
2005.08.22 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
MAUDER, ANTON;SCHULZE, HANS-JOACHIM;STRACK, HELMUT;PFIRSCH, FRANK |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/808;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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