| 发明名称 | 金属－绝缘层－金属电容的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种电容的制作方法。首先提供一基底，且该基底上覆盖有一介电层。接着于该介电层中形成至少一双镶嵌(dual damascene)开口以及至少一电容开口。随后形成一第一导电层，覆盖于该介电层表面以及该电容开口的侧壁与底部并填满该双镶嵌开口，再于该第一导电层表面形成一绝缘层。接着形成一第二导电层于该绝缘层表面，并填满该电容开口。最后进行一平坦化工艺(planarization process)，去除于该介电层表面的该第二导电层、该绝缘层与该第一导电层，以于该电容开口中形成一电容并于该双镶嵌开口中形成一双镶嵌导体。 | ||
| 申请公布号 | CN1832107A | 申请公布日期 | 2006.09.13 |
| 申请号 | CN200510054309.X | 申请日期 | 2005.03.08 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨进盛;高境鸿 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01G4/33(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种电容的制作方法，该制作方法包括：提供一基底，且该基底上覆盖有一介电层；于该介电层中形成至少一双镶嵌开口以及至少一电容开口；形成一第一导电层，覆盖于该介电层表面以及该电容开口的侧壁与底部并填满该双镶嵌开口；于该第一导电层表面形成一电容介电层；于该绝缘层表面形成一第二导电层，并填满该电容开口；以及进行一平坦化工艺，去除于该介电层表面的该第二导电层、该绝缘层与该第一导电层，以于该电容开口中形成一电容并于该双镶嵌开口中形成一双镶嵌导体。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||