半导体器件及其制造方法和喷液设备

摘要

半导体器件，包括，集成在第1导电类型的半导体衬底上的多个电热转换元件和使电流流过电热转换元件的多个转换器件，转换器件是绝缘栅型FET，每个晶体管包括：在半导体衬底的一主表面形成的第2导电类型的第1半导体区；与第1半导体区相邻形成的提供沟道的第1导电类型的第2半导体区；在第2半导体区表面侧形成的第2导电类型源区；在第1半导体区表面侧形成的第2导电类型漏区；和在沟道区上形成的多个栅电极，之间设有栅绝缘膜；第2半导体区的杂质浓度高于第1半导体区；并列设置的两个漏区之间设置的第2半导体区将漏区横向隔离。

主权项

1、一种半导体器件，包括：多个电热转换元件；和多个转换器件，用它使电流流过所述的多个电热转换元件；其中，所述电热转换元件和所述转换器件集成在第1导电类型的半导体衬底上；每个所述转换器件是绝缘栅型场效应晶体管，它包括：形成在所述半导体衬底的一个主表面上的第2导电类型的第1半导体区；用于设置沟道区的第1导电类型的第2半导体区，所述的第2半导体区与所述第1半导体区相邻；形成在所述第2半导体区的上表面一侧上的第2导电类型源区；形成在所述第1半导体区的上表面一侧上的第2导电类型的漏区；和形成在所述沟道区上的多个栅电极，这些栅电极与沟道区之间设置有栅绝缘膜；以及所述第2半导体区的杂质浓度高于所述第1半导体区的杂质浓度，所述第2半导体区位于并列设置的所述漏区之间。