| 发明名称 |
高压电应变常数d<sub>31</sub>、低压电电压常数g<sub>31</sub>压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 摘要 |
一种高压电应变常数d<sub>31</sub>、低压电电压常数g<sub>31</sub>压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。该压电陶瓷材料的化学通式为：xPbZrO<sub>3</sub>+yPbTiO<sub>3</sub>+zPb(Mg<sub>1/3</sub>Nb<sub>2/3</sub>)O<sub>3</sub>+mSrTiO<sub>3</sub>+nBaTiO<sub>3</sub>+pLaTiO<sub>3</sub>+awt.％SiO<sub>2</sub>+bwt.％La0.10；n＝0.0～0.10；p＝0.0～0.10；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，材料标准片的主要性能为：d<sub>33</sub>＝974pC/N，d<sub>31</sub>＝-388pC/N，ε<sub>33</sub><sup>T</sup>/ε<sub>o</sub>＝7000，g<sub>31</sub>＝-6.26，k<sub>31</sub>＝0.42；本发明材料具有较高的压电应变常数d<sub>31</sub>和相对低的压电电压常数g<sub>31</sub>，是一种性能优良的压电陶瓷双晶片驱动型材料。用本材料制成的压电陶瓷双晶片致动元件，已提供盲文出版社，用于制作盲文电子显示器，双晶片端点位移量大，力度强，稳定性好，盲人手感明显，已完全取代同类进口产品。 |
| 申请公布号 |
CN101475373A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
| 申请号 |
CN200910045909.8 |
申请日期 |
2009.01.22 |
| 申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
李玉臣;姚烈;董显林;梁瑞虹 |
| 分类号 |
C04B35/472(2006.01)I;C04B35/49(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;C04B35/495(2006.01)I;C04B35/14(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)N |
主分类号 |
C04B35/472(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料，其组分式为：xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.％SiO2+bwt.％La2O3+cwt.％Nb2O5+dwt.％Sb2O3，其中，x＝0.2～0.5；y＝0.2～0.5；z＝0.1～0.4；m＝0.0～0.10；n＝0.0～0.10；p＝0.0～0.10；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。 |
| 地址 |
200050上海市定西路1295号 |
