| 发明名称 | 源极/漏极电极、薄膜晶体管衬底及其制备方法和显示器件 | ||
| 摘要 | 在包含基板、薄膜晶体管半导体层、源极/漏极电极和透明像素电极的薄膜晶体管衬底中使用源极/漏极电极。所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜。所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN100511690C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200610114892.3 | 申请日期 | 2006.08.16 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 川上信之;钉宫敏洋;后藤裕史;富久胜文;日野绫 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈 平 |
| 主权项 | 1. 一种用于薄膜晶体管衬底中的源极/漏极电极，所述的薄膜晶体管衬底包含基板、薄膜晶体管半导体层、所述的源极/漏极电极和透明像素电极，所述的源极/漏极电极包含含氮层和纯铝或铝合金的薄膜，其中如此设置所述的源极/漏极电极，使得所述含氮层的氮结合至所述薄膜晶体管半导体层的硅上，并且其中如此设置所述的源极/漏极电极，使得将所述的纯铝或铝合金的薄膜通过所述的含氮层连接至所述的薄膜晶体管半导体层，其中如此设置所述的源极/漏极电极，使得铝合金的薄膜还直接连接至所述的透明像素电极，或铝合金薄膜通过阻挡层连接至所述的透明象素电极，其中所述的含氮层包含氧氮化硅，其中所述的含氮层具有氮原子的表面密度＂N1＂和氧原子的表面密度＂O1＂，并且其中N1与O1的比率为1.0或更高。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||