三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法

摘要

本发明揭示一种三维立体堆叠的电阻转换存储器及其制造方法。电阻转换存储器包括基底、若干第一布线、若干第二布线、若干存储单元阵列。多个平行设置的第一布线设置于基底上；多个相互平行的第二布线设置于基底上、与第一布线绝缘分离、并与第一布线交叉配置；呈矩阵排列的存储单元阵列层叠设置于基底上，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。本方法可形成高质量的金属-半导体接触，成本较低，有望在三维高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。

主权项

1、一种三维立体堆叠的电阻转换存储器，其特征在于，其包括：基底；设置于所述基底上的多个平行设置的第一布线；所述各个第一布线至少形成一层第一布线层；设置于所述基底上、与所述第一布线绝缘分离、并与所述第一布线交叉配置的多个相互平行的第二布线；所述各个第二布线至少形成一层第二布线层；层叠设置于所述基底上呈矩阵排列的存储单元阵列，上下相邻的两个存储单元阵列之间、存储单元阵列与所述基底之间至少设置第一布线、第二布线中的一个；所述存储单元阵列包括电阻转换存储单元、多晶半导体肖特基二极管。