| 发明名称 | 半导体元件驱动用集成电路及电能变换装置 | ||
| 摘要 | 本发明将能够对应高输出(大电流)化、高电压化以及低损耗化等的要求，并且可以提供小型、低成本、可靠性高的半导体元件驱动用集成电路以及搭载该电路的电能变换装置作为课题。为了解决该课题，将构成上支路驱动电路(212)的驱动部、包括电流检测电路(210)的电平移位电路(20)、下支路驱动电路(222)的驱动部及驱动信号处理电路(224)的电路元件集成、组入一个耐高压IC芯片(200)中，构成上支路驱动电路(212)的最终输出段缓冲部(213)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(213p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(213n)中，构成下支路驱动电路(222)的最终输出段缓冲部(223)的电路元件组入纵型构造的p沟道MOS-FET芯片(223p)和纵型构造的n沟道MOS-FET芯片(223n)中以构成驱动器IC(2)。 | ||
| 申请公布号 | CN100511673C | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200480001863.5 | 申请日期 | 2004.02.13 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 高桥可昌;樱井直树;由良昌士;岩村将弘;森睦宏 |
| 分类号 | H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H02M7/538(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/07(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱 丹 |
| 主权项 | 1、一种半导体元件驱动用集成电路，是集成多个电路元件并驱动半导体元件(32)的集成电路，其特征在于，至少给所述半导体元件(32)供给驱动电能的电路元件，是纵向结构的场效应晶体管，通过被组入到与组入其他电路元件的半导体芯片(200)不同的半导体芯片(213，223)中来构成电路。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||