发明名称 |
硅片和其制造方法及装置 |
摘要 |
本发明公开一种用于制造太阳能电池的硅片和其制造方法及装置,该硅片是由低纯度硅底板和高纯度硅层构成,高纯度硅层是用熔融状态的高纯度硅的硅原子在低纯度硅底板上结晶凝固而成,可以大大提高硅片的高纯度硅的利用率。并提供了六种硅片的制造方法及装置,分别是甩脱式硅片制造方法及装置,倾斜式硅片制造方法及装置,连续式硅片制造方法及装置,模铸式硅片制造方法及装置,竖立式硅片制造方法及装置和滚涂式硅片制造方法和装置。 |
申请公布号 |
CN101477949A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200810032278.1 |
申请日期 |
2008.01.04 |
申请人 |
陈科 |
发明人 |
陈科 |
分类号 |
H01L21/208(2006.01)I;H01L31/028(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/208(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种硅片,其特征在于:由低纯度硅底板和高纯度硅层构成,是让熔融状态的高纯度硅在低纯度硅底板上结晶凝固成硅片的高纯度硅层。 |
地址 |
200434上海市虹口区凉城路1188弄4号1402室 |