| 发明名称 | 具有一对磁性层的CPP型磁阻效应元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供磁阻效应元件，薄膜磁头，滑触头，晶片，磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有层结构，其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间，并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101478028A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
| 申请号 | CN200810185252.0 | 申请日期 | 2008.12.24 |
| 申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 土屋芳弘;原晋治;水野友人;三浦聪;柳泽卓己 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 王 旭 |
| 主权项 | 1. 一种磁阻效应元件，其包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且其中磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间的层结构。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||