发明名称 |
半导体发光元件的制造方法 |
摘要 |
本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法,其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法,能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备:在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序;在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序;对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力,在残留该开口部的该Pd电极的状态下,将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。 |
申请公布号 |
CN101478020A |
申请公布日期 |
2009.07.08 |
申请号 |
CN200810190645.0 |
申请日期 |
2008.12.26 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
冈贵郁;楠政谕;川崎和重;阿部真司;佐久间仁 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
闫小龙;刘春元 |
主权项 |
1. 一种半导体发光元件的制造方法,其特征在于,具备:在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序;在上述开口部和上述绝缘膜上形成Pd电极的工序;以及对上述绝缘膜上的上述Pd电极附加物理的力,在残留上述开口部的上述Pd电极的状态下,将上述绝缘膜上的上述Pd电极剥离并除去的剥离工序。 |
地址 |
日本东京都 |