发明名称 半导体发光元件的制造方法
摘要 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法,其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法,能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备:在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序;在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序;对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力,在残留该开口部的该Pd电极的状态下,将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。
申请公布号 CN101478020A 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200810190645.0 申请日期 2008.12.26
申请人 三菱电机株式会社 发明人 冈贵郁;楠政谕;川崎和重;阿部真司;佐久间仁
分类号 H01L33/00(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I 主分类号 H01L33/00(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 闫小龙;刘春元
主权项 1. 一种半导体发光元件的制造方法,其特征在于,具备:在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序;在上述开口部和上述绝缘膜上形成Pd电极的工序;以及对上述绝缘膜上的上述Pd电极附加物理的力,在残留上述开口部的上述Pd电极的状态下,将上述绝缘膜上的上述Pd电极剥离并除去的剥离工序。
地址 日本东京都