发明名称 | 化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种薄膜技术领域的化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法,将硼酸三甲酯按预定的B/C比溶解于丙酮,并放置于始终保持0℃的鼓泡瓶中,以控制碳源和硼源的流量。部分氢气流量作为载气,用鼓泡法将液体蒸气带出。本发明不会发生硼酸三甲酯掺硼分解出硼酸,对流量计、针形阀和管道的堵塞,制成的薄膜电阻率低(10<sup>-3</sup>Ω.·cm),金刚石成份占绝对优势,质量好。掺硼制备过程安全无毒,没有硼源对大气等污染问题。 | ||
申请公布号 | CN101476113A | 申请公布日期 | 2009.07.08 |
申请号 | CN200910045950.5 | 申请日期 | 2009.01.22 |
申请人 | 上海交通大学;上海交友钻石涂层有限公司 | 发明人 | 孙方宏;张志明;沈荷生;郭松寿 |
分类号 | C23C16/22(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/22(2006.01)I |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 1、一种化学气相沉积制备掺硼导电金刚石薄膜方法,其特征在于,将硼酸三甲酯按预定的B/C比溶解于丙酮,并放置于始终保持0℃的鼓泡瓶中,以控制碳源和硼源的流量,部分氢气流量作为载气,用鼓泡法将液体蒸气带出。 | ||
地址 | 200240上海市闵行区东川路800号 |