发明名称 机加工半导体晶片的方法
摘要 本发明涉及一种用于双面机加工半导体晶片的方法和载具,该半导体晶片在一载具的切口内被引导,与此同时通过从正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度。在该方法中,将半导体晶片机加工到比载具本体薄且比用于垫衬该载具中的切口以保护该半导体晶片的嵌体厚为止。该载具的特征在于,在整个半导体晶片机加工期间,载具本体和嵌体具有不同的厚度且该载具本体比嵌体厚,其厚度差为20至70微米。本发明还涉及一种已经被双面抛光的半导体晶片,其具有正面、背面、边缘以及以SFQR<sub>最大</sub>表示的正面的局部平整度,该SFQR<sub>最大</sub>在R-2毫米的边缘排除的情况下小于50纳米,并在R-1毫米的边缘排除的情况下小于115纳米,且基于26×8毫米的区域面积进行测量。
申请公布号 CN100511598C 申请公布日期 2009.07.08
申请号 CN200610106117.3 申请日期 2006.07.20
申请人 硅电子股份公司 发明人 吕迪格·施默尔克;托马斯·比施哈尔特;格哈德·海尔;吉多·文斯基
分类号 H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王永建
主权项 1. 一种机加工半导体晶片的方法,包括:在一载具的切口内引导该半导体晶片,并通过从该半导体晶片的正面和背面同时去除材料将该半导体晶片的厚度减小至目标厚度;机加工该半导体晶片,直到该半导体晶片比载具本体薄且比载具的嵌体厚为止,该嵌体垫衬该载具中的切口,以保护该半导体晶片,其中该载具本体的厚度与该嵌体的厚度的差值在20至70微米的范围内,并且该半导体晶片的目标厚度与该载具本体的厚度的差值Δh为-6微米≤Δh<0。
地址 德国慕尼黑