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Ein Verfahren zur Herstellung eines Transistors wird offengelegt, das die Matching-Eigenschaften von Gebieten in einem Transistor oder zwischen Transistoren auf einem Wafer, von Wafer zu Wafer oder von Los zu Los verbessern kann. Das Verfahren umfasst das Ausbilden eines Photolackmusters auf einem Halbleitersubstrat einschließlich einer Isolierschicht, das Ausbilden eines Drift-Gebiets durch Implantieren erster und zweiter Dotierionen mit dem Photolackmuster als Maske, das Ausbilden einer Gate-Oxidschicht auf dem Halbleitersubstrat, das Ausbilden eines Poly-Gates auf der Gate-Oxidschicht, das Ausbilden von Source- und Drain-Gebieten in einem bestimmten Abstand vom Poly-Gate und das Ausbilden einer Silizidschicht auf der obigen Struktur.
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