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经营范围
发明名称
雷射加工方法
摘要
以31ns~54ns的脉宽、7.5μm~10μm的脉冲节距的条件,来照射脉冲雷射光之雷射光(L),藉此在GaAs基板(12)上沿着切断预定线(5)形成作为切断起点的改质区域(7)。藉此,沿着切断预定线(5)形成于GaAs基板(12)上之改质区域(7),容易在加工对象物(1)的厚度方向发生龟裂。因此,对于具备GaAs基板(12)的板状的加工对象物(1),可形成作为切断起点的功能极佳的改质区域(7)。
申请公布号
TW200927354
申请公布日期
2009.07.01
申请号
TW097141657
申请日期
2008.10.29
申请人
滨松赫德尼古斯股份有限公司
发明人
熊谷正芳
分类号
B23K26/40(2006.01);B23K26/38(2006.01);H01L21/304(2006.01)
主分类号
B23K26/40(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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