| 发明名称 | 用于从下向上填充间隙的介电材料沉积与回蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示用于减少介电层中薄膜破裂的方法。该些方法可包含沉积一第一介电薄膜在一基材上以及蚀刻第一介电薄膜以移除第一介电薄膜的顶部的步骤。该些方法亦可包括沉积一第二介电薄膜在已蚀刻的第一介电薄膜上，以及移除第二介电薄膜的顶部。此外，该些方法可包括退火第一与第二介电薄膜以形成介电层，其中移除第一与第二介电薄膜的顶部能减少介电层中的应力。 | ||
| 申请公布号 | CN101473426A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200780023173.3 | 申请日期 | 2007.06.21 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | D·卢博米尔斯基;S·D·耐马尼;E·叶 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆 嘉 |
| 主权项 | 1. 一种减少一介电层内薄膜破裂的方法，该方法包含：沉积第一介电薄膜于基材上；蚀刻该薄膜以移除该第一介电薄膜的顶部；沉积第二介电薄膜于该已蚀刻的第一介电薄膜上；移除该第二介电薄膜的顶部；以及退火该第一与第二介电薄膜，以形成该介电层，其中，移除该第一与第二介电薄膜的顶部减少该介电层内的应力。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||