发明名称 |
一种Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基块体热电材料的超高压冷压成型方法 |
摘要 |
本发明提供的Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基块体热电材料的超高压冷压成型方法,具体是:先在真空下熔融高纯Zn粉、Sb粉和/或Te粉,冷凝结晶后得到单相β-Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基化合物的铸体;尔后研磨、过筛得到单相β-Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基化合物的粉体;最后在室温、2~10GPa压力下使粉体冷压成型并致密化,得到高致密度的单相β-Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基块体热电材料。本发明的优点在于:与现有工艺相比,所制造的β-Zn<sub>4</sub>Sb<sub>3</sub>基块体热电材料具有无杂质相、高致密度、高机械强度的特点,且热导率大幅度降低,制造周期短,能耗低,便于大规模工业化生产。 |
申请公布号 |
CN100506435C |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200710052482.5 |
申请日期 |
2007.06.15 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
赵文俞;童宇;王要娟;翟鹏程;唐新峰;张清杰 |
分类号 |
B22F3/02(2006.01)I;B22F9/04(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
B22F3/02(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 |
代理人 |
王守仁 |
主权项 |
1. 一种Zn4Sb3基块体热电材料的制备方法,所述方法是一种Zn4Sb3基块体热电材料的超高压冷压成型方法,它是先在真空下熔融高纯Zn粉、Sb粉和/或Te粉,冷凝结晶后得到单相β-Zn4Sb3基化合物的铸体;尔后研磨、过筛得到单相β-Zn4Sb3基化合物的粉体;将所述粉体在室温、30~35MPa下预压5~10min,形成直径为10~20mm、厚度为5~20mm的坯体;再将坯体置于六面顶超高压设备中,并在室温下通过控制加载和卸载过程的工艺参数,使坯体冷压成型并致密化,得到高致密度的单相β-Zn4Sb3基块体热电材料;所述加载和卸载过程的工艺参数为:加载速率为0.3~1.2GPa/min,保压时间为3-120min,压力范围为2-10Gpa;卸载速率为0.3-1.2GPa/min,保压时间为20min;所述单相β-Zn4Sb3基化合物名义组成为Zn4+xSb3-yTey,0≤x≤0.2,0≤y≤0.1。 |
地址 |
430070湖北省武汉市洪山区珞狮路122号武汉理工大学科研处 |