半导体器件铜电极的图形化方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件铜电极的图形化方法，本发明是在半导体基底上生长扩散阻挡层，并在扩散阻挡层上生长Cu膜或Cu合金膜。将所得半导体基片在保护性气氛中退火处理，然后缓慢降至室温。在铜膜上旋涂光刻胶，经光刻工序处理后，将附有图形的待蚀腐半导体基片浸入控制在一定温度范围内的腐蚀液中腐蚀。然后，将取出的半导体基片用去离子水冲洗干净，放入剥离液中去胶，然后依次经三氯乙烯和甲醇处理。采用本发明所提供的方法操作简单、成本低廉，无需特殊工艺和特殊设备、生产效率高、适用于制造半导体器件常用的金属电极特别是Cu电极或Cu合金电极，易于推广使用。

主权项

1、一种半导体器件铜电极的图形化方法，在半导体基底上生长扩散阻挡层，并在扩散阻挡层上生长Cu膜或Cu合金膜；将所得半导体基片在保护性气氛中退火处理，然后降至室温，在Cu膜或Cu合金膜上旋涂光刻胶，经光刻工序处理后，将附有图形的待蚀腐半导体基片浸入腐蚀液中腐蚀；然后，将取出的半导体基片用去离子水冲洗干净，放入剥离液中去胶，然后依次经三氯乙烯和甲醇处理；其特征在于：所述的扩散阻挡层是ZrN、厚度在200±10nm nm；所述的Cu膜的膜厚在2000±50nm；所述的将附有图形的待蚀腐半导体基片浸入腐蚀液中腐蚀是先在10HNO3：1H2O的腐蚀液中、45±1℃温度下腐蚀10分钟，再在浓H2SO4腐蚀液中、45±1℃温度下腐蚀5分钟。