| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上；进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN100508122C | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200410095406.9 | 申请日期 | 2004.12.24 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所;夏普株式会社 | 发明人 | 大沼英人;坂仓真之;三谷康弘;松尾拓哉;北角英人 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;梁 永 |
| 主权项 | 1. 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底之上形成含硅的非晶膜；将用于促进该非晶膜结晶的金属元素添加到该非晶膜上；对该非晶膜进行热处理以使该非晶膜结晶，由此在该衬底之上形成包含硅化物的结晶半导体膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该包含硅化物的结晶半导体膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及在去除所述氧化硅膜之后，通过用光来照射所述结晶半导体膜来消除在去除所述氧化硅膜的步骤中产生的浅的空腔。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||