发明名称 | 头滑块和磁存储装置 | ||
摘要 | 本发明提供头滑块和磁存储装置。下遮蔽层和上遮蔽层之间设有磁阻元件。磁阻元件经由下遮蔽层和上遮蔽层件接收电流。在滑块体和下遮蔽层之间的绝缘膜中嵌入有非导磁层。在头滑块和存储介质之间形成有气层。在头滑块和存储介质之间建立了电容耦合。电容耦合允许噪声从存储介质传递到头滑块。噪声影响在下遮蔽层和头滑块之间建立的电容。非导磁层用于防止噪声传递导致的下遮蔽层和上遮蔽层之间的电势差变化。 | ||
申请公布号 | CN101471076A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
申请号 | CN200810149798.0 | 申请日期 | 2008.09.27 |
申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 古屋早知子;久保田哲行;桥本淳一;青木知佳 |
分类号 | G11B5/39(2006.01)I | 主分类号 | G11B5/39(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 辉 |
主权项 | 1、一种头滑块,其包括:滑块体;在所述滑块体上嵌入在绝缘膜中的面垂直电流结构磁阻元件,所述面垂直电流结构磁阻元件包括位于下遮蔽层和上遮蔽层之间的磁阻元件,所述磁阻元件被设计为经由所述下遮蔽层和所述上遮蔽层接收电流;以及在所述滑块体和所述下遮蔽层之间嵌入在所述绝缘膜中的非导磁层。 | ||
地址 | 日本神奈川县川崎市 |