| 发明名称 | 用于形成屏蔽栅极沟槽FET的结构和方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管(FET)包括延伸进入半导体区域的多个沟槽。每个沟槽包括栅极电极和屏蔽电极，其间含有极间电介质，其中，屏蔽电极和栅极电极电连接在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN101473443A | 申请公布日期 | 2009.07.01 |
| 申请号 | CN200780023013.9 | 申请日期 | 2007.05.21 |
| 申请人 | 飞兆半导体公司 | 发明人 | 内森·克拉夫特;克里斯多佛·博古斯洛·科库;保尔·托鲁普 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/76(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余 刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 1. 一种场效应晶体管(FET)，包括：沟槽，延伸进入半导体区域；屏蔽电极，位于所述沟槽下部，所述屏蔽电极通过屏蔽电介质而与所述半导体区域隔离；极间电介质(IED)，位于所述屏蔽电极上方；以及栅极电极，位于所述IED上方的所述沟槽上部，所述栅极电极通过栅极电介质而与所述半导体区域隔离，其中，所述屏蔽电极电连接至所述栅极电极。 | ||
| 地址 | 美国缅因州 | ||