非易失性半导体存储装置,其制造方法以及非易失性存储器阵列

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置，其制造方法以及非易失性存储器阵列。能简化非易失性半导体存储装置的构造。在半导体基板的上面通过栅极绝缘膜设置由多晶硅构成的浮栅。在浮栅的两侧壁上，设置侧壁绝缘膜。第一杂质扩散层设置在半导体基板内，并与浮栅仅离规定的距离。第二杂质扩散层设置在半导体基板内，并与浮栅重叠。通过在与浮栅电容耦合的第二杂质扩散层上施加高电压对浮栅注入电子。

主权项

1. 一种非易失性半导体存储装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；栅极绝缘膜，设置在前述半导体基板上；浮栅，设置在前述栅极绝缘膜上；第一杂质扩散层，设置在前述半导体基板内，离开前述浮栅，为与前述第一导电型相反导电型的第二导电型；和，第二杂质扩散层，设置在前述半导体基板内，与前述浮栅重叠，为前述第二导电型。