发明名称 |
多畴垂直取向模式的液晶显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种多畴垂直取向模式的液晶显示装置,包括一上基板、一下基板及填充在上下基板之间的液晶层;所述上基板上形成有金属黑矩阵,上基板表面形成有共通电极,共通电极上形成有第一狭缝或凸起;所述下基板的显示区域包含有多个子像素区域,子像素内设置有像素电极,像素电极上形成有狭缝或凸起;其中所述共通电极上还形成有第二狭缝,将与子像素电极区域相对的共通电极分割成至少两个分立的区域,分立的区域分别与金属黑矩阵层交叠。本发明的液晶显示装置利用金属黑矩阵层,使分立的区域之间发生耦合电容作用,从而形成多畴显示,改善色差。 |
申请公布号 |
CN100507694C |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200710042656.X |
申请日期 |
2007.06.26 |
申请人 |
上海广电光电子有限公司 |
发明人 |
马骥;曹文一;叶訢 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1335(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
上海申汇专利代理有限公司 |
代理人 |
白璧华 |
主权项 |
1. 一种多畴垂直取向模式的液晶显示装置,包括一上基板;一下基板;一液晶层,填充在上下基板之间;所述上基板上形成有金属黑矩阵,上基板表面形成有共通电极,共通电极上形成有第一狭缝或凸起;所述下基板的显示区域包含有多个子像素区域,子像素内设置有像素电极,像素电极上形成有狭缝或凸起;其中所述共通电极上还形成有第二狭缝,将与子像素区域相对的共通电极分割成分立的至少两个区域,分立的区域分别与所述金属黑矩阵层交叠。 |
地址 |
200233上海市徐汇区宜山路757号三楼 |