发明名称 电晶体及其制造方法
摘要 一种电晶体制造方法,能够提高晶圆上的电晶体内或电晶体之间的区域从晶圆到晶圆和/或多对多的匹配特性,其包含有:形成光阻图案于半导体基板上,半导体基板包含绝缘层;利用光阻图案作为光罩透过植入第一和第二搀杂离子以形成漂移区域;形成闸极氧化层于半导体基板上;形成多晶矽闸于闸极氧化层上;形成源极和汲极区域,源极和汲极区域与多晶矽闸间隔预设距离;以及形成矽化物层于上述结构上。
申请公布号 TW200929380 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097144665 申请日期 2008.11.19
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 金凤吉
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/8232(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩