发明名称 |
非挥发性记忆体阵列分割结构及于同一记忆体中利用单阶单元和多阶单元的方法 |
摘要 |
本发明系揭示一种记忆体装置,系包含记忆体单元之阵列与分割系统,该分割系统系经组态成以单阶单元模式定址该阵列的第一部份,以及以多阶单元模式定址该阵列的第二部份。 |
申请公布号 |
TW200929226 |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
TW097139152 |
申请日期 |
2008.10.13 |
申请人 |
史班逊有限公司 |
发明人 |
纳拉瑞恩 哈枸;宝科尔麦特 阿里 |
分类号 |
G11C16/10(2006.01);G11C16/14(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/10(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
主权项 |
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地址 |
美国 |