氮化物半导体雷射之制造方法

摘要

〔课题〕目的在提供一种减低形成在共振器端面上的氮化物介电质膜的应力，而减低在氮化物介电质膜成膜时所产生之对于共振器端面所造成的损伤之可靠性高的氮化物半导体雷射。〔解决手段〕本发明之氮化物半导体雷射之制造方法系使用氮化物III-V族半导体之氮化物半导体雷射之制造方法，其特征在于包括：(a)使用由氮气所构成的电浆，在光射出侧共振器端面20及光反射侧共振器端面23上形成由氮化物介电质所构成的密接层21、24的步骤；及(b)在密接层21、24上形成由介电质所构成的低反射端面涂覆膜22及高反射端面涂覆膜25的步骤。