萧特基障壁二极体

摘要

本发明之萧特基障壁二极体(1)具备：具有表面(2a)之GaN自立基板、形成于表面(2a)上之GaN磊晶层(3)、以及形成于GaN磊晶层(3)之表面(3a)上且形成有开口部之绝缘层(4)。另外，具备电极(5)。电极(5)包括萧特基电极与场板电极，该萧特基电极系于开口部之内部以接触于GaN磊晶层(3)之方式形成，该场板电极系以连接于萧特基电极且与绝缘层(4)重叠之方式形成。GaN自立基板(2)之差排密度为l×l0#sP!8 #eP!㎝#sP!-2#eP!以下。