发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置及其制造方法,能够改善半导体装置之性能和生产量。半导体装置包含:其上的复数个半导体晶片;位于半导体晶圆上的底部金属层;位于底部金属层上的介电层;位于介电层上的复数个导电层,被分离为复数个片块;以及被动层,封闭上部导电层之各片块之至少四个横向侧面。因此,当切割和分离半导体晶圆上的各晶片时,上部金属层不会从半导体层中脱落。所以可改善半导体装置之性能和产率。
申请公布号 TW200929347 申请公布日期 2009.07.01
申请号 TW097141699 申请日期 2008.10.29
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 安熙伯
分类号 H01L21/304(2006.01);H01L21/31(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩