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发明名称
半导体装置及其制造方法
摘要
一种半导体装置及其制造方法,能够改善半导体装置之性能和生产量。半导体装置包含:其上的复数个半导体晶片;位于半导体晶圆上的底部金属层;位于底部金属层上的介电层;位于介电层上的复数个导电层,被分离为复数个片块;以及被动层,封闭上部导电层之各片块之至少四个横向侧面。因此,当切割和分离半导体晶圆上的各晶片时,上部金属层不会从半导体层中脱落。所以可改善半导体装置之性能和产率。
申请公布号
TW200929347
申请公布日期
2009.07.01
申请号
TW097141699
申请日期
2008.10.29
申请人
东部高科股份有限公司
发明人
安熙伯
分类号
H01L21/304(2006.01);H01L21/31(2006.01)
主分类号
H01L21/304(2006.01)
代理机构
代理人
许世正
主权项
地址
南韩
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