氮化物半导体激光器芯片及其制造方法

摘要

提供了一种氮化物半导体激光器芯片及其制造方法，该氮化物半导体激光器芯片既可以改善其COD水平，也可以防止其I-L特性曲线陡峭上升并可以降低工作电压。该氮化物半导体激光器芯片包括：构成氮化物半导体层并形成在n型GaN衬底上的层；镜面，包括光发射镜面和光反射镜面；p侧欧姆接触，形成在上接触层上以到达镜面；和p侧垫接触，形成在离光发射镜面为距离L1的区域中。调节p侧欧姆接触的厚度d和p侧垫接触到光发射镜面的距离L1，使得注入至光发射镜面的电流量是注入至在p侧垫接触正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。

主权项

1、一种氮化物半导体激光器芯片，包括：氮化物半导体层，形成在衬底上；成对的镜面，形成在该氮化物半导体层上并包括光发射镜面；第一金属接触层，形成在该氮化物半导体层上；和第二金属接触层，以离该光发射镜面的预定距离形成在该氮化物半导体层上的预定区域中，使得该第二金属接触层覆盖部分该第一金属接触层，其中注入至该光发射镜面的电流量是注入至在该第二金属接触层正下方的区域的电流量的20％以上且70％以下。