一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法

摘要

本发明公开了一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法，包括：在外延片P面上淀积介质保护材料，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻；去胶清洗，采用标准的光刻工艺进行二次光刻；刻蚀或腐蚀制作脊形模式控制区台面；用介质保护材料作掩膜制作锥形增益区台面；腐蚀剩余介质材料，清洗后重新淀积介质保护材料；采用标准光刻工艺形成掩膜，腐蚀模式控制区和锥形区上的介质保护材料，开出电流注入窗口；在外延片正面溅射或蒸发金属，制作P面电极；减薄、抛光外延片背面的N型GaAs衬底，蒸发N电极；利用激光划片机把制备的芯片划成巴条；对巴条进行腔面镀膜；把镀好腔面膜的巴条切割成单个的管芯；P面向下烧结在热沉上，进行N面电极引线。

主权项

1、一种制作高亮度半导体锥形激光器/放大器的方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在外延片P面上淀积介质保护材料，利用设计好的喇叭形光刻版，采用标准的光刻工艺进行第一次光刻，把光刻版上的图形转移到光刻胶上，以光刻胶作为掩膜，腐蚀没有光刻胶保护的介质保护材料，保留有光刻胶保护的介质保护材料；该保留的介质保护材料类似喇叭形状，包括直的模式控制区和锥形增益区；步骤2、去胶清洗，重新甩上一层光刻胶，采用标准的光刻工艺进行二次光刻，把光刻版上的图形转移到光刻胶上，然后显影，坚膜，用光刻胶作为掩膜保护锥形增益区，用介质材料作为掩膜保护脊形模式控制区；步骤3、采用干法刻蚀或湿法腐蚀步骤2中没有光刻胶或介质材料保护的欧姆接触层(7)和部分P面限制层(6)，腐蚀出脊形模式控制区台面；步骤4、去胶后，用介质保护材料作为掩膜，采用甲醇：磷酸：双氧水体积比为3：1：1的腐蚀液腐蚀没有介质材料保护的欧姆接触层(7)，腐蚀出锥形增益区台面；步骤5、采用配比为氢氟酸：氟化胺：水＝3ml:6g:10ml的腐蚀液，腐蚀剩余介质材料，清洗后重新淀积介质保护材料；步骤6、采用标准光刻工艺形成掩膜，采用配比为氢氟酸：氟化胺：水＝3ml:6g:10ml的腐蚀液腐蚀脊形模式控制区和锥形区上的介质保护材料，开出电流注入窗口；步骤7、清洗干净后，在外延片正面溅射或蒸发金属，制作P面电极；步骤8、减薄、抛光外延片背面的N型GaAs衬底(1)，并蒸发N电极，然后进行合金化处理；步骤9、利用激光划片机把制备的芯片划成巴条；步骤10、对所述巴条进行腔面镀膜；步骤11、把镀好腔面膜的巴条切割成单个的管芯；步骤12、P面向下烧结在热沉上，并进行N面电极引线。