发明名称 |
薄膜体声波谐振器、制造该薄膜体声波谐振器的方法,以及设备 |
摘要 |
本发明提出了一种能够有效的抑制寄生分量并具有优良的频率特性的改良的薄膜体声波谐振器,包括:一层压电薄膜和一对将压电薄膜插入在其中的电极。压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的周围的至少部分区域向外延伸的外围区域。该外围区域包括,在其至少部分区域中,包括用于阻尼声波的声阻尼区域。其中,直接位于声阻尼区域下的任何元件都具有比谐振器部分的一对电极中的下电极更粗糙的表面,在压电薄膜中,声阻尼区域采用与不是声阻尼区域的任何区域相同的材料构成,该声阻尼区域具有比不是声阻尼区域的任何区域都低的可结晶性。 |
申请公布号 |
CN100508385C |
申请公布日期 |
2009.07.01 |
申请号 |
CN200410078531.9 |
申请日期 |
2004.09.10 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
大西庆治;中村弘幸;中冢宏;山川岳彦 |
分类号 |
H03H9/25(2006.01)I;H03H3/08(2006.01)I;H03H9/64(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/25(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
钱慰民 |
主权项 |
1. 一种薄膜体声波谐振器(100),它包括:压电薄膜(103);和,一对将压电薄膜插入在其中的电极(101,102);其特征在于:所述压电薄膜包括从由一对电极和压电薄膜所构成的谐振器部分的周围的至少部分区域向外延伸的外围区域(104),所述外围区域,在其至少部分区域中,包括用于阻尼声波的声阻尼区域(105),直接位于声阻尼区域下的任何元件都具有比谐振器部分的一对电极中的下电极更粗糙的表面(28,28a,28c),在所述压电薄膜中,所述声阻尼区域采用与不是所述声阻尼区域的任何区域相同的材料构成,以及所述声阻尼区域具有比不是所述声阻尼区域的任何区域都低的可结晶性。 |
地址 |
日本大阪府 |