| 摘要 |
本发明公开了一种设置于半导体衬底上的半导体功率器件，半导体衬底支持一外延层作为具有外延层的漂移区域。该半导体功率器件还包括一超结结构，包括设置于多个外延层中的数个掺杂侧壁柱。外延层具有多个开设的沟槽，并由多个具有掺杂柱的外延层填充，掺杂柱沿设置于多个外延层中的沟槽的侧壁设置。本发明的优点在于提供了一种新的优化的器件结构及制造方法，利用简单及方便的制造步骤从而在漂移区域中形成用于电荷平衡的掺杂柱。这就不需要回蚀刻或化学机械抛光，从而减少了制造步骤，该器件可以通过标准过程，使用标准的制造模组及设备方便地制造。 |
