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发明名称
防止半导体元件中之相邻接触结构短路的方法
摘要
一种防止半导体元件中之相邻接触结构短路的方法,系于形成有接触开口的层间介电质层结构,在形成一阻障金属层前形成一侧壁保护层于接触开口的侧壁上,侧壁保护层覆盖并保护接触开口之侧壁,使接触开口之侧壁不会与湿气发生反应造成层间介电质层结构不正常的损失,进而防止层间介电质层结构受有机金属先驱物的损害,而造成相邻接触结构(Contact)的搭接短路。
申请公布号
TW200929439
申请公布日期
2009.07.01
申请号
TW096149787
申请日期
2007.12.24
申请人
茂德科技股份有限公司
发明人
吴孝哲;李名言;蔡文立
分类号
H01L21/768(2006.01);H01L21/8242(2006.01)
主分类号
H01L21/768(2006.01)
代理机构
代理人
王宗梅
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行路19号3楼
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