半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的目的是，借助于制作结晶半导体膜，同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸，将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区，而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜，而不用金属或热导高的绝缘膜，作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差，以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。

主权项

1. 一种半导体器件，包含：制作在衬底表面上的基底绝缘膜；制作在所述基底绝缘膜上的小岛状绝缘膜；制作成覆盖所述小岛状绝缘膜的顶部和侧面以及所述基底绝缘膜的半导体膜；制作在所述半导体膜上的栅绝缘膜；以及制作在所述栅绝缘膜上的栅电极，其中所述小岛状绝缘膜具有矩形形状，且内部具有窗口。