| 发明名称 | 通过化学汽相淀积使氮化硅膜和/或氧氮化硅膜淀积的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种含五(二甲基氨基)氯二硅烷的化合物与含氮气体和任选地含氧气体一起使用以通过CVD淀积SiN(和任选SiON)膜的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101466865A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200680054461.0 | 申请日期 | 2006.04.03 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | C·迪萨拉 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;C07F7/02(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1. 一种在反应室中通过化学汽相淀积生产氮化硅膜的方法，包括以下步骤：a)将基材引入反应室中，所述基材具有能通过化学汽相淀积接受氮化硅膜的表面；b)引入具有以下通式的含五(二甲基氨基)二硅烷的化合物：Si2(NMe2)5Y (I)其中Y选自Cl、H和氨基；c)将选自氨、肼、烷基肼化合物和氮化氢化合物中的含氮气体引入反应室中；和d)通过使含二硅烷的化合物与含氮气体在反应温度下反应，在基材的至少一部分表面上形成氮化硅膜，其中反应温度优选至少等于基材的表面温度。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||