| 发明名称 | 电元件、存储装置和半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 电元件具备第一端子(1)、第二端子(3)和可变电阻薄膜(2)。可变电阻薄膜(2)连接到第一端子(1)和第二端子(3)之间。并且，可变电阻薄膜(2)含Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>结晶相和Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>结晶相。 | ||
| 申请公布号 | CN100505266C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200680012006.4 | 申请日期 | 2006.04.04 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 三谷觉;小佐野浩一;村冈俊作;名古久美男 |
| 分类号 | H01L27/10(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1. 一种电元件，其特征在于：包括：第一端子及第二端子、以及连接到所述第一端子和所述第二端子之间的可变电阻薄膜；所述可变电阻薄膜包含Fe3O4结晶相和Fe2O3结晶相；通过在所述第一端子和所述第二端子之间施加电脉冲使所述电元件的电阻值增加或减少来存储信息，并按照所述电元件电阻值的大小差异来读出存储信息。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||