发明名称 | 磁控溅射磁体部件、磁控溅射装置和方法 | ||
摘要 | 本发明的磁控溅射磁体部件可以沿大致平行于目标的溅射表面的方向运动并且朝向该目标,所述磁控溅射磁体部件包括:内侧磁体,沿大致垂直于所述运动方向的方向延伸,所述内侧磁体的N极或S极与所述目标相对;外侧磁体,其围绕所述内侧磁体并和所示内侧磁体有间隔,所述外侧磁体和所述目标相对的磁极与所述内侧磁体的和所述目标相对的磁极相反;以及非磁性部件,设置在所述内侧磁体和所述外侧磁体之间并支持所述内侧磁体和所述外侧磁体。所述内侧磁体和所述外侧磁体和所述目标相对的磁极是可反转的。可以降低目标端部电子密度的不均匀性,并且使此处的等离子体密度均匀。因而,可以使目标端部的溅射率均匀,可以降低成膜对象上成膜分布的不均匀性。此外,可以降低目标蚀刻的不均匀性以改善目标利用效率。 | ||
申请公布号 | CN101466862A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
申请号 | CN200780021242.7 | 申请日期 | 2007.06.06 |
申请人 | 芝浦机械电子株式会社 | 发明人 | 宇都宫信明;伊藤昭彦 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王 英 |
主权项 | 1、一种磁控溅射磁体部件,其可以在朝向目标的同时沿大致平行于该目标的溅射表面的方向运动,所述磁控溅射磁体部件包括:内侧磁体,其沿大致垂直于所述运动方向的方向延伸,所述内侧磁体的N极或S极与所述目标相对;外侧磁体,其围绕所述内侧磁体并和所述内侧磁体有间隔,所述外侧磁体和所述目标相对的磁极与所述内侧磁体和所述目标相对的磁极相反;以及非磁性部件,设置在所述内侧磁体和所述外侧磁体之间并支持所述内侧磁体和所述外侧磁体,和所述目标相对的所述内侧磁体和所述外侧磁体的磁极是可反转的。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |