非易失性冗余地址存储器

摘要

一种非易失性冗余地址存储器，包括：第一内存，将逻辑资料数值储存于储存胞元中；地址解码器，耦接至第一内存，包括用以译码提供至存储装置之地址位以及用以选择储存胞元的电路；冗余控制器，耦接至地址解码器，包括第二内存，用以储存缺陷存储储存胞元的地址列表，以及冗余存储储存胞元，用于每一缺陷存储储存胞元，第二内存包括非易失电阻性存储胞元；冗余地址解码器，耦接至冗余控制器，包括用以译码取代存储储存胞元的地址位、并选择在冗余内存的冗余存储储存胞元的电路；以及冗余内存，耦接至冗余地址解码器，包括多个冗余存储储存胞元，其中电阻性存储胞元为MRAM胞元。本发明使用非易失存储胞元可以在制造期间消除激光熔丝熔烧步骤。

主权项

1. 一种半导体存储装置，其包括：一第一内存，其用于将逻辑资料数值储存于储存胞元之中；一地址解码器，其耦接至该第一内存，而该地址解码器包括用以译码提供至该存储装置之地址位以及用以选择一储存胞元的电路；一冗余控制器，其耦接至该地址解码器，而该冗余控制器包括一第二内存，用以储存具缺陷的存储储存胞元的一地址列表，以及一冗余存储储存胞元，以用于每一具缺陷的存储储存胞元，其中，该第二内存包括非易失、电阻性存储胞元；一冗余地址解码器，其耦接至该冗余控制器，而该冗余地址解码器包括用以译码取代存储储存胞元的地址位、并进而选择在冗余内存的一冗余存储储存胞元的电路；以及一冗余内存，其耦接至该冗余地址解码器，而该冗余内存包括冗余存储储存胞元，其中，所述电阻性存储胞元为在一桥接结构中实施的磁阻性随机存取内存(MRAM)胞元。