应变绝缘硅

摘要

本发明提供在具有不同晶向的SOI衬底上形成的集成半导体器件，从而为特殊器件提供最佳性能。特别是，提供一种包括至少一个SOI衬底的集成半导体结构，SOI衬底具有第一晶向的顶部半导体层以及具有第二晶向的半导体材料，其中半导体材料与顶部半导体层基本共面并且与其厚度基本相同，并且第一晶向与第二晶向不同。SOI衬底是通过在一个结构中形成孔而形成的，该结构包括具有不同晶向的至少一个第一半导体层和第二半导体层。半导体材料是在孔中外延生长的，接着使用不同刻蚀和深刻蚀加工步骤形成SOI衬底。

主权项

1. 一种应变绝缘硅，包括至少一个SOI衬底，所述SOI衬底包括第一晶向的第一应变Si层和第二晶向的第二应变Si层，所述第二应变Si层与所述第一应变Si层共面，并与所述第一应变Si层的厚度相同，并且所述第一晶向与所述第二晶向不同，其特征在于还包括一个侧向隔离第一应变Si层和第二应变Si层的间隔，所述间隔具有低于第一应变Si层和第二应变Si层的表面的表面。