| 发明名称 | 在相变存储单元中形成相变层 | ||
| 摘要 | 相变存储器单元包括半导体主体上相变材料的相变层。硬掩模结构在相变层上形成，且抗蚀掩模在硬掩模结构上形成。硬掩模通过使用抗蚀掩模成形硬掩模结构而形成。相变层使用硬掩模成形。抗蚀掩模在成形相变层之前被去除。 | ||
| 申请公布号 | CN100505363C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200610129021.9 | 申请日期 | 2006.08.29 |
| 申请人 | 奥沃尼克斯股份有限公司 | 发明人 | M·马吉斯特雷蒂;P·佩特鲁扎 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 刘 佳 |
| 主权项 | 1. 一种方法，包括：在半导体主体上形成相变材料的相变层；在所述相变层上创建硬掩模结构；在所述硬掩模结构上创建抗蚀掩模；通过使用所述抗蚀掩模成形所述硬掩模结构来形成硬掩模；去除所述抗蚀掩模；以及在去除所述抗蚀掩模之后使用所述硬掩模成形所述相变层； | ||
| 地址 | 美国密执安州 | ||