| 发明名称 | 半导体元件的金属层直接图案化制作方法 | ||
| 摘要 | 一种于半导体元件中的金属层直接图案化的制作方法，是用于解决以全面基板沉积薄膜、黄光光刻(Photolithography)技术制作晶体管结构时造成的材料耗费与时程，其主要步骤包括催化反应层(种晶层)材料的图案化定义、以及选择性薄膜沉积(成长)，其中更使用直接图案化种晶技术与化学镀浴沉积技术，提供一非真空、选择性沉积的薄膜成长制程，可应用半导体元件中的导线、电极，或于大面积晶体管数组或大面积功能性(如反射层)薄膜的沉积、制造。 | ||
| 申请公布号 | CN100505179C | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200610001276.7 | 申请日期 | 2006.01.12 |
| 申请人 | 台湾薄膜电晶体液晶显示器产业协会;中华映管股份有限公司;友达光电股份有限公司;广辉电子股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美电子股份有限公司;财团法人工业技术研究院;统宝光电股份有限公司 | 发明人 | 萧名男;姜信铨;庄博全 |
| 分类号 | H01L21/3205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李 强 |
| 主权项 | 1. 一种半导体元件的金属层直接图案化制作方法，其特征在于包括有下列步骤：备置一基础结构；借一掩膜于该基础结构上定义图案；浸泡该已定义图案的基础结构于一溶液中，形成一种晶层；移除该掩膜；进行化学镀浴沉积，是将该已移除掩膜的图案化种晶层置于一化学镀浴沉积溶液中；以及形成一金属薄膜。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹县 | ||