| 发明名称 | AlN/GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种AlN/GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，主要解决现有器件中高阈值电压和大输出电流不能同时实现的问题。该器件的主要特点是通过采用AlN势垒层，提高沟道二维电子气浓度，实现在大阈值电压的同时提高输出电流。其制作过程为：在衬底基片上，生长AlN成核层；在AlN成核层上，生长Al<sub>0.07</sub>GaN外延层；在Al<sub>0.07</sub>GaN外延层上，生长GaN层；在GaN层上生长3nm～3.6nm厚的AlN势垒层；完成材料生长后，在AlN势垒层上光刻并蒸发源漏金属；在AlN势垒层上的源漏之间光刻并刻蚀槽栅；槽栅刻蚀后，在槽栅及AlN势垒层表面淀积SiN栅介质层；在SiN栅介质层上光刻并蒸发栅极金属并进行金属互联。本发明适用于制作需要高阈值电压及小传输电阻的开关器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101465372A | 申请公布日期 | 2009.06.24 |
| 申请号 | CN200910020848.X | 申请日期 | 2009.01.08 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郝跃;全思;马晓华;杨凌;谢元斌 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;黎汉华 |
| 主权项 | 1. 一种AlN/GaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管，自下而上包括衬底、Al0.07GaN外延层、GaN层、势垒层以及SiN介质层，其特征在于势垒层采用AlN，形成AlN/GaN异质结，增加沟道二维电子气的浓度及迁移率。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||